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基于冲突理论的涡街流量计传感器耐受温度提高的方法研究

时间:2017-08-07 16:28 来源:http://www.shslgs.com 点击数:

随着节能减排在发电厂、钢厂等高耗能企业的实施,对其产生的过热蒸汽测量尤为重要。涡街流量计传感器检测感应元件为压电陶瓷,由于其极化时居里温度的限制,只能在低于 240℃介质中使用。为了提高传感器耐受温度,利用技术冲突以及物理冲突理论,建立传感器系统功能模型,然后进行因果分析,确定冲突区域,在此基础上,确定多个创新方案,通过对比确定最优解。

1 .问题背景和描述

1.1问题的背景

随着能源日趋紧张,节能减排在发电厂、钢厂等高耗能企业尤为重要,而能源计量要求越来越高,尤其是对这些工厂产生的过热蒸汽(一般 350℃以上)的测量尤为重要,而一般涡街流量计传感器的使用温度低于 240℃,在此背景下,迫切需对涡街流量计重新进行研制开发,更好的满足市场需求。

1.2 问题的描述

1)定义技术系统实现的功能。问题所在技术系统为涡街流量计传感器系统;该技术系统的功能为转换信号;实现该功能的约束:测量精度为 ±1%,成本提高控制在 20% 之内。

2)现有技术系统的工作原理。涡街流量计是基于卡门涡街原理进行测量。当流体通过漩涡发生体时,它的两侧会交替出现两排旋转方向相反地漩涡,这些交替变化的漩涡就形成了一系列交替变化的负压力。该压力作用在传感器的探头上,便会产生一系列交变电信号,经过转换器的过滤、整形和放大处理后,转换成脉冲频率信号。

3)当前技术系统存在的问题。由于目前使用的传感器检测感应元件为压电陶瓷,其极化时居里温度大约 420 460℃,因此只能在低于 240℃介质中使用,一旦被测量介质的温度高于 240℃,涡街流量计传感器便会因压电陶瓷达到居里点,绝缘电阻降低,压电信号变弱而失效。

4)问题或类似问题的现有解决方案及其缺点 (见表 1)。

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5)新系统的要求。将涡街流量计传感器的耐受温度由原来的 240℃提高到 350℃。

2.问题分析

2.1 功能分析

系统分析(见表 2)。

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建立已有系统的功能模型(见图 1)。

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通过功能模型分析,描述了系统元件及其之间的相互关系,并得出导致传感器耐受温度不足问题的功能因素:高温蒸气对测量管传热;测量管对探头传热;探头对灌封物传热;灌封物对压电陶瓷片传热;高温蒸气对探头传热。

2.2 因果分析

应用因果链分析法确定产生问题的原因(见图 2)。

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2.3冲突区域确定(问题关键点确定)

问题关键点:探头安装在测量管内,探头与高温介质及测量管直接接触,受热量多,而使压电陶瓷片失效。

2.4 理想解分析

最终理想解:涡街流量计传感器的耐热温度、测量精度等不受测量介质温度的限制,且成本没有提高。次理想解:涡街流量计传感器的耐热温度可达 350℃,且成本提高控制在 20% 以内,测量精度为 ±1%

3.使用冲突解决理论求解

3.1技术冲突解决过程

1)冲突描述:为了提高传感器系统的“耐热温度”,需要探头远离高温介质及测量管,但这样做了会导致系统的测量信号变弱。

2)转换成 TRIZ 标准冲突。改善的参数:NO.17 温度;恶化的参数:NO.28 测试精度。

3)查找冲突矩阵,得到如下发明原理:No.32 改变颜色、 No.19 周期性作用、No.24 中介物。方案一:依据 No.32 改变颜色发明原理,得到解如下:改变透明或可视特性,使其适应信号传输。方案二:依据 No.19 周期性作用,得到解如下:改变漩涡运动频率,使得信号易于获取。方案三:依据 No.24 中介物,得到解如下:探头外表面加真空绝热材料。

3.2物理冲突解决过程

1)冲突描述:为了 提高传感器系统的耐热温度”,需 要参数“探头与高温介质及测量管的距离增大,但又为了 “提 高测量信号的精度”,需要参数“探头与高温介质及测量管 的距离减小,S卩,探头与高温介质及测量管的距离既要增大又要减小”。

2)考虑到该参数探头与高温介质及测量管的距离”在 不同的“空间上具有不同的特性,因此该冲突可以从空间上进行分离。

3)选用4条分离原理(空间分离、时间分离、基于条件 的分离、整体与部分分离)当中的空间分离原理,得到 解决方案。

4)查找与该分离原理对应的发明原理有“No. 1 No.2No.3No.4No.7No.13No.17No.24No.25 No.30”。根据选定的发明原理,得到解决方案。方案四:依 No.1No.2发明原理,得到解如下:探头分割成独立两 部分,一部分置于高温介质中,而压电陶瓷片从探头分离出 来的部分置于高温介质外。方案五:依据No.7发明原理,得 到解如下:将探头置于漩涡发生体中。

4.结论

对方案进行汇总(见表3)

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3方案汇总

依据表3得到的若干创新解,通过评价,确定最优解为: 探头分割成独立两部分,加真空绝热材料的部分位于高温介 质中,含压电陶瓷的部分在高温介质外。